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反擊戰(zhàn)打響?三星內(nèi)存芯片認證獲重大進展 有望很快向英偉達供貨

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  財聯(lián)社11月1日訊(編輯 趙昊)三星電子高管在財報電話會上提到,公司在向英偉達供應(yīng)人工智能(AI)內(nèi)存芯片方面取得進展。

  當?shù)貢r間周四(10月31日),三星電子公布財報顯示,公司芯片部門第三季度實現(xiàn)營業(yè)利潤3.9萬億韓元,遠低于上一季度的6.45萬億韓元,環(huán)比大降近40%。

  作為全球最大的存儲芯片巨頭,三星錯失了人工智能熱潮這一良機,遠落后于從中大賺特賺的競爭對手SK海力士。分析認為,三星高管這番話是為了安撫投資者。

  在財報電話會議上,三星內(nèi)存業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Jaejune Kim表示,在與一家主要客戶——英偉達資格認證過程的關(guān)鍵階段,三星取得了“重要”進展。

  Kim提到,三星現(xiàn)在預(yù)計公司將在第四季度出售其最先進的HBM3E內(nèi)存芯片。

英偉達作為HBM廠商的最大客戶,三大存儲芯片廠商都在盡全力爭取其訂單,而現(xiàn)在最先進的HBM產(chǎn)品就是HBM3E。

反擊戰(zhàn)打響?三星內(nèi)存芯片認證獲重大進展 有望很快向英偉達供貨  第1張

  8月時有傳聞稱,三星的8層HBM3E內(nèi)存已通過英偉達測試。但當時三星回應(yīng)“與事實相距甚遠”,相關(guān)人員也表示,質(zhì)量測試還在進行中。

  目前,投資者對于三星能否重新進入高帶寬內(nèi)存市場持謹慎態(tài)度。三星高管Kim透露,三星正在削減其傳統(tǒng)內(nèi)存的產(chǎn)量,以加快部門向尖端制造工藝的轉(zhuǎn)型。

  Kim表示,在三星內(nèi)部,與內(nèi)存相關(guān)的資本支出將優(yōu)先考慮高端產(chǎn)品。公司預(yù)計,今年芯片相關(guān)的資本支出總額將達到47.9萬億韓元,明年下半年將量產(chǎn)下一代HBM4芯片。

  現(xiàn)代汽車證券公司分析師Greg Roh表示,“即使三星成為繼SK海力士之后的另一家供應(yīng)商,其能否從英偉達那里獲得可觀的市場份額,我們還得拭目以待?!?/p>

  三周前,三星電子副董事長兼設(shè)備解決方案部門主管Jun Young-hyun在發(fā)布業(yè)績預(yù)告時發(fā)表了道歉聲明,“許多人都在談?wù)撊堑奈C,我們領(lǐng)導(dǎo)業(yè)務(wù)的主管將負起責(zé)任?!?/p>

  三星將業(yè)績預(yù)告不及市場預(yù)期的責(zé)任,指向了DS事業(yè)部(半導(dǎo)體事業(yè)部)。報告提到,三星的HBM3E芯片未能通過英偉達等關(guān)鍵客戶的標準審核,導(dǎo)致訂單流失。

  麥格理集團在一份報告中寫道:“根據(jù)情況,三星電子可能會失去第一大DRAM供應(yīng)商的地位?!背嗽贖BM上落后于SK海力士,三星在晶圓代工方面也被臺積電拉開差距。